[发明专利]一种含铜离子钙钛矿薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610806825.1 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN106206956B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 杨丽军;杨盼;赵晓冲 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/44 |
| 代理公司： | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人： | 刘华平 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种含铜离子钙钛矿薄膜的制备方法，包括：(1)将CH3NH3X(MAX)溶于DMF溶剂中，并搅拌至CH3NH3X完全溶解；(2)加入HCl溶液；(3)加入CuI并搅拌；(4)加入PbI2，并于避光条件下搅拌，得到含铜离子钙钛矿前驱体溶液；(5)清洗衬底材料；(6)将清洗好的衬底材料置于紫外臭氧清洗仪中清洗；(7)将含铜离子钙钛矿前驱体溶液滴于衬底材料上，然后旋涂；(8)将旋涂后的材料加热，然后冷却至室温，即得含铜离子钙钛矿薄膜。本发明制备的含铜离子钙钛矿薄膜稳定性好、成本低廉、无毒、光电转换效率高，能够作为高效的光伏能源材料，大幅降低光伏发电成本，因此，其适于大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 离子 钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含铜离子钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将浓度为30～300mg/mL的CH3NH3X溶于DMF溶剂中，并搅拌至CH3NH3X完全溶解；所述的X为卤素元素；(2)加入2v.％～10v.％的HCl溶液混合；(3)加入浓度为0.1～1mol/L的CuI混合，并搅拌30～40分钟；(4)加入浓度为0～0.9mol/L的PbI2混合，并于避光条件下搅拌12～14小时，得到含铜离子钙钛矿前驱体溶液；(5)将衬底材料清洗干净；(6)将清洗好的衬底材料置于紫外臭氧清洗仪中清洗30～60分钟；(7)将100μL～120μL含铜离子钙钛矿前驱体溶液滴于衬底材料上，然后旋涂10～40秒；(8)将旋涂后的材料于70～120℃条件下加热30～120分钟，然后冷却至室温，即得含铜离子钙钛矿薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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