[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，存储器件区、核心区和输入输出区内均包括NMOS区和PMOS区，在PMOS区内和NMOS区内的半导体衬底上分别形成有第一鳍片结构和第二鳍片结构；形成分别横跨第一鳍片结构和第二鳍片结构的第一栅极结构和第二栅极结构；在第一栅极结构两侧的第一鳍片结构中的预定形成源/漏极的区域形成第一应力外延层；形成图案化的掩膜层，以覆盖NMOS区并暴露PMOS区；进行P型源/漏极离子注入，以在存储器件区和核心区内的PMOS区中形成源/漏极；进行第一退火处理；在第二栅极结构两侧的第二鳍片结构中的预定形成源/漏极的区域形成第二应力外延层。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储器件区、核心区和输入输出区，在所述存储器件区、核心区和输入输出区内均包括NMOS区和PMOS区，在所述PMOS区内和所述NMOS区内的所述半导体衬底上分别形成有第一鳍片结构和第二鳍片结构；形成分别横跨所述第一鳍片结构和所述第二鳍片结构的第一栅极结构和第二栅极结构；在所述PMOS区内的第一栅极结构两侧的所述第一鳍片结构中的预定形成源/漏极的区域形成第一应力外延层；形成图案化的掩膜层，以覆盖所述NMOS区并暴露所述PMOS区；进行P型源/漏极离子注入，以在所述存储器件区和所述核心区内的所述PMOS区中形成源/漏极；进行第一退火处理，以激活所述源/漏极中的P型掺杂离子；在所述NMOS区内的第二栅极结构两侧的所述第二鳍片结构中的预定形成源/漏极的区域形成第二应力外延层。