[发明专利]一种发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610807699.1 | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106449930B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 吴志浩;杨春艳;王江波;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/36;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管包括衬底、以及依次层叠在衬底上的第一Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、第二Ⅲ族氮化物半导体层、掺杂有p型掺杂剂的Ⅱ‑Ⅵ族半导体层、金属层、绝缘钝化层，绝缘钝化层上设有延伸至第一Ⅲ族氮化物半导体层的第一凹槽、以及延伸至金属层的第二凹槽，第一电极设置在绝缘钝化层上并通过第一凹槽延伸至第一Ⅲ族氮化物半导体层，第二电极设置在绝缘钝化层上并通过第二凹槽延伸至金属层。本发明通过Ⅱ‑Ⅵ族半导体层极大地提高了空穴浓度，进而提高空穴注入效率、降低LED工作电压，显著改善LED的外量子效率在大的电流注入下的衰减问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的第一Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、第二Ⅲ族氮化物半导体层、掺杂有p型掺杂剂的Ⅱ‑Ⅵ族半导体层、金属层、绝缘钝化层，所述绝缘钝化层上设有延伸至所述第一Ⅲ族氮化物半导体层的第一凹槽、以及延伸至所述金属层的第二凹槽，第一电极设置在所述绝缘钝化层上并通过所述第一凹槽延伸至所述第一Ⅲ族氮化物半导体层，第二电极设置在所述绝缘钝化层上并通过所述第二凹槽延伸至所述金属层；所述第一Ⅲ族氮化物半导体层为不掺杂的GaN层，所述第二Ⅲ族氮化物半导体层为不掺杂的GaN层。
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