[发明专利]一种锡酸镉（CTO）薄膜退火方法在审
| 申请号： | 201610807885.5 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN106367720A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杜忠明;刘向鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种锡酸镉(CTO)薄膜退火方法，利用氮气气氛退火，方法如下将沉积有锡酸镉薄膜的衬底放入退火炉腔室中，通入氮气；退火温度为560℃～1100℃，退火时间为5分钟至50分钟。沉积所述的锡酸镉薄膜的方法包括射频磁控溅射、中频磁控溅射、射频反应磁控溅射和直流反应磁控溅射沉积法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锡酸镉 cto 薄膜 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种锡酸镉(CTO)薄膜退火方法，其特征在于：将沉积有锡酸镉薄膜的衬底放入退火炉腔室中，通入氮气；退火温度为560℃～1100℃，退火时间为5分钟至50分钟。
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