[发明专利]一种发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610808053.5 | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106449911B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 杨春艳;吴志浩;王江波;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括衬底、以及依次层叠在衬底上的第一Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、第二Ⅲ族氮化物半导体层、掺杂有p型掺杂剂的Ⅱ‑Ⅵ族半导体层、透明导电层，第二Ⅲ族氮化物半导体层上设有延伸至第一Ⅲ族氮化物半导体层的凹槽，第一电极设置在第一Ⅲ族氮化物半导体层上，第二电极设置在透明导电层上。本发明通过Ⅱ‑Ⅵ族半导体层极大地提高了空穴浓度，同时透明导电层促进了电流的扩散，从而极大地提高空穴注入效率、降低LED工作电压，显著改善LED的外量子效率在大的电流注入下的衰减问题。而且还可以提高光线的透过率、以及LED的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的第一Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、第二Ⅲ族氮化物半导体层、透明导电层，所述第二Ⅲ族氮化物半导体层上设有延伸至所述第一Ⅲ族氮化物半导体层的凹槽，第一电极设置在所述第一Ⅲ族氮化物半导体层上，第二电极设置在所述透明导电层上，其特征在于，所述发光二极管还包括掺杂有p型掺杂剂的Ⅱ‑Ⅵ族半导体层，所述Ⅱ‑Ⅵ族半导体层层叠在所述第二Ⅲ族氮化物半导体层和所述透明导电层之间；所述第一Ⅲ族氮化物半导体层为不掺杂的GaN层，所述第二Ⅲ族氮化物半导体层为不掺杂的GaN层。
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