[发明专利]一种双环路控制高电源抑制比的带隙基准电路在审
| 申请号： | 201610808127.5 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN106249796A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张国俊;刘阳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于模拟集成电路技术领域，涉及一种双环路控制高电源抑制比的带隙基准电路，包括包含带隙基准核心电路(Bandgap Core)、误差放大器(Error Amplifier)、电压预调整电路(Pre‑regulator)；技术上主要采用了将Widlar基准与Kuijk基准相结合的双环路控制策略，用于提高负载调整率和瞬态响应速度；此外，本发明还引入了电压预调整技术，有效实现了对传统带隙基准电路电源抑制比的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 环路 控制 电源 抑制 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种具有双环路控制的带隙基准电路，其特征在于，包含带隙基准核心电路(Bandgap Core)、误差放大器(Error Amplifier)、电压预调整电路(Pre‑regulator)。
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