[发明专利]多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备及其生长方法在审
| 申请号： | 201610808276.1 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106435730A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李百中;李铮;施振华;侯印春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/14;C30B11/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司31213 | 代理人： | 张泽纯;张宁展 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备及生长方法，所述多孔石墨坩埚包括籽晶区、晶体生长区、料仓区和坩埚盖四部分；所述生长设备还包括炉膛、下降装置和铜感应加热线圈，所述炉膛的上方和下方设有通气孔，所述炉膛内壁、铜感应线圈和下降杆表面镀有镍层或是耐高温的有机树脂层，能够耐氟化氢等气体腐蚀。所述制备方法包括步骤：设置参数、装炉、抽真空并通入保护气体、待原料完全熔融形成熔体并且籽晶熔细后开始下降制备氟化镁晶体。本发明制备的氟化镁单晶光学质量优良，190nm波长透过率可以达到93.5％；本发明中氟化镁晶体外形和尺寸容易控制；并且多坩埚同时生长氟化镁晶体，生长效率高，有利于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 下降 法制 氟化 晶体 生长 设备 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备，包括多孔石墨坩埚、炉膛、下降装置和铜感应加热线圈，其特征在于，所述的多孔石墨坩埚为圆柱状，设有3～20孔，且由下至上依次连接籽晶区、晶体生长区、料仓区和坩埚盖四部分，四部分材质均为高纯石墨；其中籽晶区的籽晶孔直径为籽晶孔深度15～50mm；晶体生长区的晶体孔为圆孔或方孔，长度为100～300mm，该晶体孔的下部具有扩晶锥度；料仓区的料仓孔为单孔，长度为50～100mm。
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