[发明专利]粉末冶金法制备高硅铝合金的方法

摘要

粉末冶金法制备高硅铝合金的方法，包括以下步骤S1，将工业铝、晶体硅按重量比37～46混合，并添加成型粘结剂，所述成型粘结剂与工业铝、晶体硅混合物按重量比1100～3100混合，制得混合粉末，其中，所述工业铝的纯度为99.5％以上，晶体硅纯度为99.9％以上；S2，将步骤S1制得的混合粉末经热压成型，制得成型胚；S3，将步骤S2制得的成型胚进行真空烧结，采用分段升温，烧结结束后自然冷却；S4，将烧结后的成型胚经过挤压成型，并自然冷却后制得成品。本发明制得的高硅铝合金成品中，硅的含量高达30％以上，从而获得低膨胀系数、高热传导率的复合材料。

主权项

粉末冶金法制备高硅铝合金的方法，其特征在于，包括以下步骤：S11，将工业铝和晶体硅按重量比3:7～4:6混合， 均匀混合后，将二者的混合物进行研磨，以纯度99.9％以上的酒精为研磨介质，将混合物研磨至15μm以下，且研磨后的混合物的中位粒径为4.5μm～5.5μm；S12，将研磨后的混合物蒸干，然后添加成型粘结剂，所述成型粘结剂与工业铝、晶体硅混合物按重量比1:100～3:100混合，制得混合粉末，其中，所述工业铝的纯度为99.5％以上，晶体硅纯度为99.9％以上，所述成型粘结剂为聚乙烯醇或羧甲基纤维素，且所使用的聚乙烯醇的分子量为6000；S2，将步骤S1制得的混合粉末经热压成型，制得成型的毛坯；S3，将步骤S2制得的毛坯进行真空烧结，采用分段升温，烧结结束后自然冷却，其中，分段升温包括以下几个阶段：第一烧结阶段，烧结温度为580℃～620℃，保温时间为2.5h；第二烧结阶段，烧结温度为680℃～720℃，保温时间为3h；第三烧结阶段，烧结温度为830℃～870℃，保温时间为2h；第四烧结阶段，烧结温度为980℃～1020℃，保温时间为2h；S4，将烧结后的毛坯经过挤压成型，并自然冷却后制得成品。