[发明专利]一种薄膜太阳能电池背电极制备方法在审
| 申请号： | 201610808412.7 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN106449793A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 齐鹏飞;蓝仕虎;何光俊;陈金良 | 申请（专利权）人： | 中山瑞科新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/0445 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 528400 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池背电极制备方法，包括以下步骤：（A）提供基板；（B）在所述基板上沉积用作薄膜电池前电极的透明导电氧化物薄膜；（C）在所述透明导电氧化物薄膜表面沉积薄膜太阳能电池；（D）在所述薄膜太阳能电池上沉积一层金属背电极；（E）在金属背电极上生成一层不导电或低导电率的薄膜以构成新的背电极。本发明通过在目前的金属背电极上面沉积一层不导电的薄膜进行覆盖，在激光刻划P3以及扫边后，填充进P3的颗粒为不导电的薄膜，有效解决了薄膜太阳能电池扫边后电性能的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 太阳能电池 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池背电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（A）提供基板；（B）在所述基板上沉积用作薄膜电池前电极的透明导电氧化物薄膜；（C）在所述透明导电氧化物薄膜表面沉积薄膜太阳能电池；（D）在所述薄膜太阳能电池上沉积一层金属背电极；（E）在金属背电极上生成一层不导电或低导电率的薄膜以构成新的背电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
