[发明专利]制备具有室温宽频大磁电容效应的铁氧体外延薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610809230.1 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106431382B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 汤如俊;周浩;杨浩 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C04B35/40 | 分类号： | C04B35/40;C04B35/622;C23C14/08;C23C14/28;C23C14/58 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 耿丹丹 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种制备具有室温宽频大磁电容效应的铁氧体外延薄膜的方法，包括步骤：(1)制备以AFe |
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| 搜索关键词： | 制备 具有 室温 宽频 磁电 效应 铁氧体 外延 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备具有室温宽频大磁电容效应的铁氧体外延薄膜的方法，其特征在于，包括步骤：(1)制备以AFe12‑xMxO19表示组成的铁氧体，其中A为Ba元素或Sr元素中的至少一种，M为Sc元素、Mg元素或Cr元素中的至少一种，x是M的含量：0＜x≤4；(2)在真空背景下，利用脉冲激光对铁氧体进行轰击，将轰击出来的铁氧体材料沉淀在基片上，在基片上生长铁氧体外延薄膜，其中，所述基片为单晶Si基片、Si/Pt基片、单晶Al2O3基片和单晶SrTiO3基片中的一种；(3)在铁氧体外延薄膜生长完后进行降温处理；(4)对铁氧体外延薄膜进行后退火处理。
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