[发明专利]导电薄膜对位标记制作方法有效
申请号: | 201610809700.4 | 申请日: | 2016-09-07 |
公开(公告)号: | CN107797396B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 王士敏;王琦;古海裕;朱泽力;李绍宗 | 申请(专利权)人: | 深圳莱宝高科技股份有限公司;重庆莱宝科技有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518107 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种导电薄膜对位标记制作方法,包括如下步骤:提供一包括一功能区域和一邻接功能区域的辅助区域的基片,辅助区域用以形成至少一对位标记;在基片之上形成一导电薄膜;在导电薄膜之上形成一正性光阻膜;通过第一光罩曝光正性光阻膜,形成第一曝光区域和保留区域;显影正性光阻膜;蚀刻导电薄膜;通过位于该至少一对位标记之上的第二光罩再次曝光正性光阻膜,形成位于保留区域的第二曝光区域;再次显影正性光阻膜,形成至少一个对位标记。该制作方法节省原材料、工序简单,且能有效避免位于导电薄膜之下的膜层被腐蚀。 | ||
搜索关键词: | 导电 薄膜 对位 标记 制作方法 | ||
【主权项】:
一种导电薄膜对位标记制作方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一基片,所述基片包括用于切割之后最终形成产品的功能区域和与所述功能区域相邻接的辅助区域,所述辅助区域用以在其之上形成至少一个对位标记;在所述基片之上形成一导电薄膜;在所述导电薄膜之上形成一正性光阻膜;通过第一光罩向所述正性光阻膜照射曝光光,以使所述正性光阻膜的部分区域曝光,所述正性光阻膜曝光的所述部分区域形成为第一曝光区域,所述正性光阻膜未曝光的区域形成为保留区域;利用第一显影液移去所述第一曝光区域,保留所述保留区域,位于所述正性光阻膜之下的所述导电薄膜的部分区域露出形成为裸露区域;利用蚀刻液蚀刻所述导电薄膜,蚀刻掉所述裸露区域;通过第二光罩向所述正性光阻膜照射曝光光,以使所述保留区域部分区域曝光,所述保留区域曝光的所述部分区域形成为第二曝光区域,所述第二光罩位于所述至少一个对位标记之上,且具有与所述至少一个对位标记相同的图案;利用第二显影液移去所述第二曝光区域,形成所述至少一个对位标记。
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