[发明专利]导电薄膜对位标记制作方法有效

专利信息
申请号: 201610809700.4 申请日: 2016-09-07
公开(公告)号: CN107797396B 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 王士敏;王琦;古海裕;朱泽力;李绍宗 申请(专利权)人: 深圳莱宝高科技股份有限公司;重庆莱宝科技有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518107 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种导电薄膜对位标记制作方法,包括如下步骤:提供一包括一功能区域和一邻接功能区域的辅助区域的基片,辅助区域用以形成至少一对位标记;在基片之上形成一导电薄膜;在导电薄膜之上形成一正性光阻膜;通过第一光罩曝光正性光阻膜,形成第一曝光区域和保留区域;显影正性光阻膜;蚀刻导电薄膜;通过位于该至少一对位标记之上的第二光罩再次曝光正性光阻膜,形成位于保留区域的第二曝光区域;再次显影正性光阻膜,形成至少一个对位标记。该制作方法节省原材料、工序简单,且能有效避免位于导电薄膜之下的膜层被腐蚀。
搜索关键词: 导电 薄膜 对位 标记 制作方法
【主权项】:
一种导电薄膜对位标记制作方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一基片,所述基片包括用于切割之后最终形成产品的功能区域和与所述功能区域相邻接的辅助区域,所述辅助区域用以在其之上形成至少一个对位标记;在所述基片之上形成一导电薄膜;在所述导电薄膜之上形成一正性光阻膜;通过第一光罩向所述正性光阻膜照射曝光光,以使所述正性光阻膜的部分区域曝光,所述正性光阻膜曝光的所述部分区域形成为第一曝光区域,所述正性光阻膜未曝光的区域形成为保留区域;利用第一显影液移去所述第一曝光区域,保留所述保留区域,位于所述正性光阻膜之下的所述导电薄膜的部分区域露出形成为裸露区域;利用蚀刻液蚀刻所述导电薄膜,蚀刻掉所述裸露区域;通过第二光罩向所述正性光阻膜照射曝光光,以使所述保留区域部分区域曝光,所述保留区域曝光的所述部分区域形成为第二曝光区域,所述第二光罩位于所述至少一个对位标记之上,且具有与所述至少一个对位标记相同的图案;利用第二显影液移去所述第二曝光区域,形成所述至少一个对位标记。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳莱宝高科技股份有限公司;重庆莱宝科技有限公司,未经深圳莱宝高科技股份有限公司;重庆莱宝科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610809700.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top