[发明专利]芯片封装侧壁植球工艺有效
| 申请号： | 201610809742.8 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106206423B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 薛海韵;冯光建 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区太湖国际科技园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种芯片封装侧壁植球工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在晶圆上制RDL走线层和TSV孔，在TSV孔中制作TSV孔金属，RDL走线层的末端和TSV孔互连的地方作为焊盘；（2）在晶圆上制作沟槽，露出TSV孔金属的侧面或侧面和底面；（3）在RDL走线层的末端上表面进行植球工艺，回流后在焊盘和TSV孔金属的侧壁形成凸点；（4）通过切割或背部减薄使芯片分离，得到侧壁带凸点的单一芯片。本发明通过刻蚀工艺使金属焊垫露出，避免了金属离子对硅材质的污染；通过植球工艺在晶圆表面进行植球，晶圆四周侧壁有焊锡球，有利于侧壁焊接。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 侧壁 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种芯片封装侧壁植球工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在晶圆（102）上制RDL走线层和TSV孔，在TSV孔中制作TSV孔金属，RDL走线层的末端和TSV孔互连的地方作为焊盘；（2）在晶圆（102）上制作沟槽（108），露出TSV孔金属的侧面或侧面和底面；（3）在RDL走线层的末端上表面进行植球工艺，回流后在焊盘和TSV孔金属的侧壁形成凸点（203）；（4）通过切割或背部减薄使芯片分离，得到侧壁带凸点的单一芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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