[发明专利]一种发光二极管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201610810002.6 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106169528B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 彭康伟;林素慧;许圣贤;何安和 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种发光二极管结构及其制作方法，包括：衬底，以及生长在衬底表面的发光外延层和分布布拉格反射层，发光外延层和分布布拉格反射层分别位于衬底两侧，其特征在于：所述衬底的背面具有一系列沙漏状的凹槽结构，且所述分布布拉格反射层形成于所述凹槽结构表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管结构，包括：衬底，以及生长在衬底表面的发光外延层和分布布拉格反射层，发光外延层和分布布拉格反射层分别位于衬底两侧，其特征在于：所述衬底的背面具有一系列沙漏状的凹槽结构，且所述分布布拉格反射层形成于所述凹槽结构表面。
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