[发明专利]一种可见光与红外兼容伪装材料及其制备方法有效
申请号: | 201610810584.8 | 申请日: | 2016-09-08 |
公开(公告)号: | CN106382854B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 程海峰;刘东青;李阳;张朝阳;彭任富 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | F41H3/00 | 分类号: | F41H3/00;B32B9/04;B32B33/00 |
代理公司: | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙)43213 | 代理人: | 杨斌,魏龙霞 |
地址: | 410073 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种可见光与红外兼容伪装材料,为层状结构,从下至上依次包括衬底、红外低发射率层和氧化物薄膜层;所述氧化物薄膜层为Cr2O3薄膜。本发明的制备方法,包括以下步骤(1)在衬底上通过射频磁控溅射方法制备红外低发射率层;(2)在所述红外低发射层的表面通过射频磁控溅射方法制备Cr2O3薄膜,完成可见光与红外兼容伪装材料的制备。本发明的可见光与红外伪装材料中的氧化物薄膜颜色可调控,不仅具有绿色,而且其他多种色彩,能适应不同条件下的伪装要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 可见光 红外 兼容 伪装 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种可见光与红外兼容伪装材料的制备方法,其特征在于,所述可见光与红外兼容伪装材料为层状结构,从下至上依次包括衬底、红外低发射率层和氧化物薄膜层;所述氧化物薄膜层为Cr2O3薄膜;所述Cr2O3薄膜的厚度为100nm~1μm;所述红外低发射率层选自Au薄膜、Ag薄膜和Al薄膜中的任一种;所述制备方法包括以下步骤:(1)在衬底上通过射频磁控溅射方法制备红外低发射率层;射频磁控溅射工艺参数为:以Al靶、Ag靶或Au靶为溅射靶材,本底真空为2×10‑8~5×10‑6Torr,溅射温度为25℃~100℃,溅射压力为2mTorr~7mTorr,溅射功率为50W~300W;(2)在所述红外低发射率层的表面通过射频磁控溅射方法制备Cr2O3薄膜,完成可见光与红外兼容伪装材料的制备;射频磁控溅射的工艺参数为:以Cr2O3靶为溅射靶材,本底真空为2×10‑8~5×10‑6Torr,溅射温度为470℃~800℃,溅射压力为2mTorr~7mTorr,溅射功率为50W~300W。
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