[发明专利]一种硒化锑双结薄膜太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201610810669.6 | 申请日: | 2016-09-09 |
公开(公告)号: | CN106684179A | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 罗云荣;周如意;陈春玲;陈慧敏 | 申请(专利权)人: | 湖南师范大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410081 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种硒化锑双结薄膜太阳能电池及其制备方法,其特征在于,所述太阳能电池的结构从上至下依次为:金属正面电极1、p型重掺杂黑磷烯薄膜2、p型纳米晶硅薄膜3、n型纳米晶硅薄膜4、本征黑磷烯过渡层5、p型硒化锑薄膜6、n型反蛋白石结构二氧化钛薄膜7、n型重掺杂黑磷烯衬底8、金属背面电极9。本发明的优点在于不仅利用了二氧化钛分等级多孔结构的优势,增大光电转换层间接触面积,而且发挥了黑磷烯高电导率,高透光率的特点,减少了太阳能电池的整体串联电阻,同时采用双结结构扩展了传统硒化锑薄膜太阳能电池的光波吸收范围,提高了太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 硒化锑双结 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硒化锑双结薄膜太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池的结构从上至下依次为:金属正面电极、p型重掺杂黑磷烯薄膜、p型纳米晶硅薄膜、n型纳米晶硅薄膜、本征黑磷烯过渡层、p型硒化锑薄膜、n型反蛋白石结构二氧化钛薄膜、n型重掺杂黑磷烯衬底、金属背面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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