[发明专利]一种增大层状钴基氧化物薄膜高温热电势的方法有效
| 申请号： | 201610811258.9 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106350773B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 宋世金;虞澜;傅佳;倪佳;邱兴煌;陈琪;钟毅 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;C23C14/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增大层状钴基氧化物薄膜高温热电势的方法，属于功能薄膜材料领域。其特征在于：通过脉冲激光沉积在c轴倾斜的单晶衬底上制备层状钴基氧化物外延薄膜，从而在薄膜倾斜方向上获得增大的高温热电势。本发明能显著提高层状钴基氧化物薄膜的高温热电势，且重复性好、易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增大 层状 氧化物 薄膜 温热 电势 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增大层状钴基氧化物薄膜高温热电势的方法，其特征在于：（1）c轴倾斜的单晶衬底的预处理：将c轴倾斜单晶衬底在空气气氛、950℃~1150℃下一次退火0.5~2h，之后在室温下依次用丙酮、酒精和去离子水在超声波清洗器中各处理1~5min，再在空气气氛、950℃~1150℃下二次退火0.5~2h；（2）通过脉冲激光沉积在步骤（1）得到的c轴倾斜单晶衬底上制备层状钴基氧化物外延薄膜，从而在薄膜倾斜方向上获得增大的高温热电势；所述脉冲激光沉积的工艺条件为KrF准分子激光波长248nm，激光脉宽28ns，激光能量175‑350mJ，激光频率2‑5Hz，背底真空1×10‑3Pa‑1×10‑4Pa，生长温度730‑810℃，生长流动氧压5‑50Pa，生长时间5‑40min。
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