[发明专利]一种宽调谐范围八相位压控振荡器有效

专利信息
申请号: 201610812195.9 申请日: 2016-09-08
公开(公告)号: CN106452364B 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 李芹;黄权杰;王蓉 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03B5/18 分类号: H03B5/18
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 杨晓玲
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种新型八相位压控振荡器的实现方式,包括4个压控振荡器电路单元、耦合电容单元和缓冲电路电路单元等,其中,4个振荡器电路单元分别包含两个差分输出信号,继而共有八路输出信号,振荡器单元通过耦合电容单元进行耦合,八相位信号经缓冲单元输出,八相位压控振荡器电路中的振荡器单元基于差分有源电感的方案来实现,有源电感相对传统无源电感大大节约了芯片面积,同时基于有源电感感值可调性,实现压控振荡器的宽调谐范围特性。
搜索关键词: 一种 调谐 范围 相位 压控振荡器
【主权项】:
1.一种宽调谐范围八相位压控振荡器,其特征在于:包括4个压控振荡器单元、耦合电容单元和缓冲电路单元;4个压控振荡器单元产生振荡输出差分信号,继而共有八路输出信号Vout1+,Vout1‑,Vout2+,Vout2‑,Vout3+,Vout3‑,Vout4+和Vout4‑,振荡器单元之间通过耦合电容单元进行耦合,产生八相位信号通过缓冲电路单元输出最终的输出信号V1+,V1‑,V2+,V2‑,V3+,V3‑,V4+和V4‑;其中,所述压控振荡器单元包括PMOS管M5和M6,NMOS管M1、M2、M3、M4、M7和M8,以及累积型MOS变容管Cvar1和Cvar2;NMOS管M7和NMOS管M8源极接地,NMOS管M7的漏极连接NMOS管M8的栅极并连接输出信号正端Vout+,NMOS管M8的漏极连接NMOS管M7的栅极并连接输出信号负端Vout‑,NMOS管M1和NMOS管M3的源极互连并连接所述输出信号正端Vout+,NMOS管M2和NMOS管M4的源极互连并连接所述输出信号负端Vout‑,NMOS管M1和NMOS管M3的栅极互连并连接NMOS管M2和PMOS管M5的漏极,NMOS管M2和NMOS管M4的栅极互连并连接NMOS管M1和PMOS管M6的漏极,NMOS管M3的漏极和PMOS管M5的源极互连并连接电源VDD,NMOS管M4的漏极和PMOS管M6的源极互连并连接电源VDD,PMOS管M5和PMOS管M6的栅极互连并连接控制信号Vctrl1,累积型MOS变容管Cvar1的栅极连接所述差分输出信号正端Vout+,累积型MOS变容管Cvar2的栅极连接所述差分输出信号负端Vout‑,累积型MOS变容管Cvar1和Cvar2的漏极和源极互联并连接控制信号Vctrl2
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