[发明专利]一种自组装单分子膜诱导生长DAST及其衍生物单晶薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610812700.X | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106149044B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 许向东;戴泽林;陈哲耕;蒋亚东;孙铭徽;谷雨;王福;连宇翔;李欣荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C07D213/38 | 分类号： | C07D213/38;C30B7/06;C30B29/54 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自组装单分子膜诱导生长DAST及其衍生物单晶薄膜的方法，首先在衬底的表面自组装含有‑SO3‑、‑OH、‑Cl‑、‑NH2、‑F‑和‑COOH中的一种或几种官能团的一层单分子薄膜，使衬底官能团化，然后将官能团化的两片衬底并排紧贴地插入DAST或DAST衍生物溶液中，采用缓慢蒸发溶剂法，在两片衬底之间生长DAST或DAST衍生物单晶。本发明能有效克服有机薄膜单晶生长过程中晶体的厚度和取向可控性差、易于形成孪晶、水蒸气干扰晶体生长等问题，能有效地控制DAST或DAST衍生物晶体的厚度及生长方向，避免形成孪晶。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 自组装单分子膜 单晶薄膜 官能团化 诱导生长 孪晶 单晶生长过程 缓慢蒸发溶剂 水蒸气 表面自组装 单分子薄膜 衍生物晶体 衍生物溶液 有效地控制 晶体生长 生长方向 有机薄膜 晶体的 可控性 单晶 取向 紧贴 生长 | ||
【主权项】：
1.一种自组装单分子膜诱导生长DAST及其衍生物单晶薄膜的方法，其特征在于：首先在衬底的表面自组装含有-SO3 - 、-OH、-Cl- 、-NH2 、-F- 和-COOH中的一种或几种官能团的一层单分子薄膜，使衬底官能团化；然后将官能团化的两片衬底并排紧贴地插入DAST或DAST衍生物溶液中，采用缓慢蒸发溶剂法，在两片衬底之间生长DAST或DAST衍生物单晶，所述缓慢蒸发溶剂法的具体方法为：在湿度小于20％或者真空的条件下，温度控制在10-50℃，在此条件下使DAST或DAST衍生物溶液挥发，在两片衬底之间生长DAST或DAST衍生物单晶，1-60天后再将衬底取出。
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