[发明专利]一种忆阻器在审
| 申请号： | 201610813160.7 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106299114A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 诸葛飞;胡令祥;曹鸿涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种忆阻器，包括：依次在衬底上形成底电极层和中间介质层，在中间介质层上形成顶电极，所述中间介质层的材料为在氧化性气氛中进行热处理后的硫化物。本发明通过采用合适的顶电极以及氧化气氛中热处理的硫化物薄膜组合，使得忆阻器表现出许多优异的性能，包括循环稳定性、抗疲劳性、超低的工作电压。在生物神经突触模拟方面表现出很好的突触可塑性，并具有超低的工作电压(6mV)下实现了短程可塑性和长程可塑性。超低的工作电压使其器件内部结构变化减小，所以极大的增强了器件的时间保持性和抗疲劳性，大幅度降低了器件的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 | ||
【主权项】：
一种忆阻器，其特征在于，包括：依次在衬底上形成底电极层和中间介质层，在中间介质层上形成顶电极层，所述中间介质层的材料为在氧化性气氛中进行热处理后的硫化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所，未经中国科学院宁波材料技术与工程研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610813160.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：灯（飞船舞台灯）
- 下一篇：一种新型单曲面钢化玻璃的成型设备
