[发明专利]一种半导体发光二极管光源及背光模组有效
| 申请号： | 201610813278.X | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106328791B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 吴志浩;杨春艳;王江波;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L25/075;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光二极管光源及背光模组，属于半导体技术领域。半导体发光二极管光源包括PCB、以及呈阵列排列的发光二极管芯片，发光二极管芯片包括衬底、n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、第一光学反射层、绝缘层，n型电极和p型电极设置在绝缘层上，n型电极与n型Ⅲ族氮化物半导体层电连接，p型电极与p型Ⅲ族氮化物半导体层电连接，n型电极和p型电极分别焊接在PCB上，发光二极管芯片的顶面和三个侧面上设有第二光学反射层，第二光学反射层和发光二极管芯片的出光侧面上设有荧光粉胶体，发光二极管芯片的出光侧面为发光二极管芯片未设置第二光学反射层的侧面。本发明可以实现背光模组的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光二极管 光源 背光 模组 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光二极管光源，其特征在于，所述半导体发光二极管光源包括PCB、以及呈阵列排列的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、第一光学反射层、绝缘层，n型电极和p型电极设置在所述绝缘层上，所述n型电极与所述n型Ⅲ族氮化物半导体层电连接，所述p型电极与所述p型Ⅲ族氮化物半导体层电连接，所述n型电极和所述p型电极分别焊接在所述PCB上，所述发光二极管芯片的顶面和三个侧面上设有第二光学反射层，所述第二光学反射层和所述发光二极管芯片的出光侧面上设有荧光粉胶体，所述发光二极管芯片的顶面为所述衬底所在的表面，所述发光二极管芯片的侧面为与所述发光二极管芯片的顶面相邻的表面，所述发光二极管芯片的出光侧面为所述发光二极管芯片未设置所述第二光学反射层的侧面。
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