[发明专利]AMOLED器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种AMOLED器件及其制作方法。本发明的AMOLED器件的制作方法，采用喷墨打印的方法形成AMOLED器件的阳极，与传统的制作工艺相比，节省一道光罩，减少一道光刻制程，从而简化了AMOLED器件的制作工艺，降低生产成本。本发明的AMOLED器件，其阳极通过喷墨打印的方法形成，制作工艺简单，生产成本低。

主权项

一种AMOLED器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一TFT基板(10)，所述TFT基板(10)包括衬底(20)、设于所述衬底(20)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)及衬底(20)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上且对应于所述栅极(21)上方的有源层(31)、设于所述有源层(31)及栅极绝缘层(30)上的刻蚀阻挡层(40)、设于所述刻蚀阻挡层(40)上的源极(41)与漏极(42)、设于所述源极(41)、漏极(42)及刻蚀阻挡层(40)上的平坦层(50)、以及设于所述平坦层(50)上且对应于所述漏极(42)上方的第一通孔(51)；所述第一通孔(51)至少暴露出所述漏极(42)的一部分；步骤2、采用喷墨打印的方法在所述TFT基板(10)的平坦层(50)上的第一通孔(51)中形成阳极(61)，所述阳极(61)与所述漏极(42)相接触；步骤3、在所述阳极(61)上形成发光层(70)，在所述发光层(70)及平坦层(50)上形成阴极(80)。