[发明专利]用于描述LDMOS晶体管电容特性的仿真方法在审
| 申请号： | 201610814787.4 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106383941A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 张振军,吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于描述LDMOS晶体管电容特性的仿真方法，用于描述LDMOS晶体管电容特性的仿真方法包括建立所述LDMOS晶体管的等效电路模型；对所述等效电路模型进行仿真；其中，所述等效电路模型包括MOS管；第一可变负载，一端耦接所述MOS管的漏极，另一端作为所述等效电路模型的漏极；第二可变负载，一端耦接所述MOS管的源极，另一端作为所述等效电路模型的源极；第一可变容抗元件，一端耦接所述MOS管的栅极，另一端耦接所述等效电路模型的漏极；第二可变容抗元件，一端耦接所述MOS管的栅极，另一端耦接所述MOS管的体极。本发明技术方案提高了LDMOS晶体管的仿真的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 描述 ldmos 晶体管 电容 特性 仿真 方法 | ||
【主权项】：
一种用于描述LDMOS晶体管电容特性的仿真方法，其特征在于，包括：建立所述LDMOS晶体管的等效电路模型，其中，所述等效电路模型包括：MOS管；第一可变负载，其一端耦接所述MOS管的漏极，其另一端作为所述等效电路模型的漏极；第二可变负载，其一端耦接所述MOS管的源极，其另一端作为所述等效电路模型的源极；第一可变容抗元件，其一端耦接所述MOS管的栅极，其另一端耦接所述等效电路模型的漏极；第二可变容抗元件，其一端耦接所述MOS管的栅极，其另一端耦接所述MOS管的体极；对所述等效电路模型进行仿真。
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