[发明专利]光传感器和包括光传感器的显示设备在审
| 申请号： | 201610815072.0 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106549075A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 林基主;金珉圣;阮成进;李在燮 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 郭艳芳,康泉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种光传感器和包括光传感器的显示设备。该光传感器包括包括具有倾斜表面的反射部的第一电极层；被置于第一电极层上的第一半导体层；被置于第一半导体层上的第二电极层；以及被顺序地置于第二电极层上的第一介电层和第二介电层，其中第一介电层和第二介电层具有不同的介电常数值。此外，所公开的显示设备包括被置于基底上的多个像素区域以及形成在多个像素区域中至少一些像素区域中的传感器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 包括 显示 设备 | ||
【主权项】：
一种光传感器，包括：第一电极层，包括具有倾斜表面的反射部；第一半导体层，被置于所述第一电极层上；第二电极层，被置于所述第一半导体层上；以及第一介电层和第二介电层，被顺序地置于所述第二电极层上，其中所述第一介电层和所述第二介电层具有不同的介电常数值。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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