[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法在审

专利信息
申请号: 201610816226.8 申请日: 2016-09-09
公开(公告)号: CN106205495A 公开(公告)日: 2016-12-07
发明(设计)人: 蔡玉莹 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/3266 分类号: G09G3/3266;G09G3/3258
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用4T1C或4T2C结构的像素驱动电路对每一像素中驱动薄膜晶体管的阈值电压进行有效补偿;通过第一扫描信号(SEL1)来控制增设的第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)在复位阶段分别向驱动薄膜晶体管的栅极、源极写入初始化信号(INI)进行初始化处理,能够减小电源信号的复杂度,使得电路可以直接使用直流电源;通过增设第二电容(C2)来调控数据信号(DATA)对驱动薄膜晶体管的源极电位的影响,能够减小数据信号的复杂度,使数据信号只需切换一次。
搜索关键词: amoled 像素 驱动 电路 方法
【主权项】:
一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第一电容(C1)、及有机发光二极管(OLED);所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第一节点(a),源极电性连接于第二节点(b),漏极电性连接于直流电源正极(Vdd);所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第二扫描信号(SEL2),源极接入数据信号(DATA),漏极电性连接于第一节点(a);所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第一扫描信号(SEL1),源极接入初始化信号(INI),漏极电性连接于第一节点(a);所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第一扫描信号(SEL1),源极接入初始化信号(INI),漏极电性连接于第二节点(b);所述第一电容(C1)的一端电性连接于第一节点(a),另一端电性连接于第二节点(b);所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第二节点(b),阴极电性连接于直流电源负极(Vss);所述初始化信号(INI)为一恒定低电位,所述数据信号(DATA)为一高电位单脉冲。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610816226.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top