[发明专利]GHz硅基ScAlN薄膜谐振器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种GHz硅基ScAlN薄膜谐振器，包括由上至下依次排列的IDT层、第一功能层、第一公共地电极层、第二公地电极层、晶种层、顶层SiO₂层、第二功能层、中间夹层SiO₂层、结构层和第一Al层，所述IDT层图形化后形成叉指电极和位于叉指电极两端的反射栅；该谐振器还包括第一介质保护层，所述第一介质保护层部分覆盖于IDT层上，部分覆盖于功能层上；所述第一介质保护层上设置有阵列窗口；所述第一介质保护层上设置有上电极层，所述上电极层包括覆盖于阵列窗口侧壁与底壁上的第二Al层以及由阵列窗口的边缘向外延伸形成的第三Al层。本发明通过晶种层的生长，一方面可提高公共电极生长的择优取向，增加电极层与介质层的粘附性，同时，可提高功能层的结晶度。

主权项

1.一种GHz硅基ScAlN薄膜谐振器，其特征在于：包括由上至下依次排列的IDT层(6)、第一功能层(5)、第一公共地电极层(4)、第二公地电极层(3)、晶种层(2)、顶层SiO2层(1)、第二功能层(8)、中间夹层SiO2层(10)、结构层(9)和第一Al层(12)，所述IDT层(6)图形化后形成叉指电极(61)和位于叉指电极两端的反射栅(62)；该谐振器还包括第一介质保护层(7)，所述第一介质保护层部分覆盖于IDT层(6)上，部分覆盖于第一功能层(5)；所述第一介质保护层上设置有阵列窗口，该阵列窗口由第一介质保护层向下凹陷形成；所述第一介质保护层上设置有上电极层，所述上电极层包括覆盖于阵列窗口侧壁与底壁上的第二Al层以及由阵列窗口的边缘向外延伸形成的第三Al层；所述谐振器还包括一腔体，该腔体由第一Al层(12)向第二功能层(8)方向凹陷形成；第一功能层(5)为ScALN层、第一公共地电极层(4)为Pt层、第二公地电极层(3)为Ti层、晶种层(2)为ALN层、第二功能层(8)为Si层、结构层(9)为Si层、第一介质保护层(7)为SiO2层、上电极层为AL层所述阵列窗口包括设置于第一介质保护层(7)一端的第一窗口和设置于第一介质保护层(7)另一端的第二窗口，所述第一窗口由第一介质保护层(7)腐蚀至第一公共地电极层(4)形成，所述第二窗口由第一介质保护层(7)腐蚀至IDT层(6)形成；所述腔体由第一Al层(12)刻蚀至第二功能层(8)形成。