[发明专利]一种锑化钴基热电元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610817232.5 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106252500B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 史迅;初靖;柏胜强;顾明;唐云山;夏绪贵;陈立东;吴汀 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L35/18 | 分类号： | H01L35/18;H01L35/28;H01L35/34 |
| 代理公司： | 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锑化钴基热电元件及其制备方法，所述的锑化钴基热电元件具有通过一步法烧结形成的电极层/阻挡层/锑化钴基热电层结构，所述电极层为镍或镍‑铜，所述阻挡层由铌和选自锆、钒、铬、铪、铁中的至少一种组成。本发明提供的锑化钴基热电元件各个界面稳定性良好，界面电阻较低，本发明的制备方法工艺简单、可靠性高、成本低、易于规模化生产使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锑化钴基 热电 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锑化钴基中温热电元件的制备方法，其特征在于，所述的锑化钴基中温热电元件具有通过一步法烧结形成的电极层/阻挡层/锑化钴基热电层结构，所述电极层为镍或镍-铜，所述阻挡层由铌和选自锆、钒、铬、铪、铁中的至少一种组成，所述阻挡层中铌的质量百分比为90-99%；所述阻挡层包括与所述锑化钴基热电层接触的铌金属层以及位于所述铌金属层上的由选自锆、钒、铬、铪、铁中的至少一种形成的第二金属层；或者所述阻挡层为铌和选自锆、钒、铬、铪、铁中的至少一种形成的合金组成；/n所述锑化钴基热电层为Yb0.3Co4Sb12或CeFe3CoSb12，所述阻挡层和所述锑化钴基热电层扩散反应形成稳定单相NbSb2；/n所述一步法烧结包括：将锑化钴基热电粉末、阻挡层材料及电极层材料依次装入石墨模具中，在真空中或惰性保护气氛下进行放电等离子烧结或热压烧结，得到锑化钴基中温热电元件；/n所述放电等离子烧结的条件为：升温速率为40-100℃/分钟，烧结温度为600-650℃，烧结压力为50-70MPa，保温时间为8-15分钟，降温速度为5-30℃/分钟；/n所述热压烧结的条件为：升温速率为20-100℃/分钟，烧结温度为640-700℃，烧结压力为50-70MPa，保温时间为50-80分钟，降温速度为10-50℃/分钟。/n
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