[发明专利]一种采用外延牺牲层工艺制作GaAs‑HEMT器件T型栅的方法

摘要

本发明公开了一种采用外延牺牲层工艺制作GaAs‑HEMT器件T型栅的方法，首先，在衬底上生长GaAs‑HEMT外延层，然后在外延层的上表面生长一层GaInP作为牺牲层，接着再分别制作源、漏电极，并在牺牲层的中间位置刻蚀一条形栅槽，栅柱制作于该条形栅槽内，光刻形成栅电极蒸镀窗口，通过金属蒸镀、撕金剥离并腐蚀掉外延层表面的牺牲层后得到所需的T型栅。采用本发明方法可以有效减少工艺制作步骤，缩短工时，降低器件的生产成本，并且腐蚀GaInP牺牲层溶液的选择比较高，不损伤器件表面，可靠性较好，提升产品生产良率，适用于HEMT器件T型栅制作。

主权项

一种采用外延牺牲层工艺制作GaAs‑HEMT器件T型栅的方法，其特征在于：首先，在衬底上生长GaAs‑HEMT外延层，然后在外延层的上表面生长一层GaInP作为牺牲层，接着再分别制作源、漏电极，并在牺牲层的中间位置刻蚀一条形栅槽，栅柱制作于该条形栅槽内，光刻形成栅电极蒸镀窗口，通过金属蒸镀、撕金剥离并腐蚀掉外延层表面的牺牲层后得到所需的T型栅；其具体包括以下步骤：1)材料生长：在衬底材料上依次生长GaAs‑HEMT外延层和GaInP牺牲层；2)源、漏电极制作：采用光刻、蚀刻或离子注入方法，分别进行源、漏电极制作及台面刻蚀、隔离；3)GaInP牺牲层表面制备栅槽：采用光刻和干/湿法刻蚀的方法，在GaInP牺牲层的中间位置形成条形栅槽；4)栅电极制备：光刻形成栅电极蒸镀倒台窗口，采用磁控溅射方法和剥离工艺将栅材料淀积到条形栅槽，得到三维栅，该栅电极的断面为T型，且源、漏电极位于栅电极的两侧；5)去除GaInP牺牲层：采用光刻和湿法腐蚀的方法，将GaAs‑HEMT外延层表面的GaInP牺牲层腐蚀掉，从而完成GaAs‑HEMT器件T型栅的制作。