[发明专利]一种晶体硅铸锭用籽晶及其制备方法和晶体硅及其制备方法在审
| 申请号： | 201610817314.X | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN106222734A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈红荣;徐云飞;胡动力;何亮 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶体硅铸锭用籽晶，包括籽晶本体以及包覆在籽晶本体表面的硅系化合物膜，硅系化合物膜的熔点大于或等于硅的熔点。该硅系化合物膜可保护籽晶避免被杂质污染，在该籽晶上生长出来的晶体硅位错较少，少子寿命较高。另外，该籽晶可实现多次重复使用，大大降低了铸造晶体硅的成本。本发明还提供了该晶体硅铸锭用籽晶的制备方法，包括：提供籽晶本体，通过气相沉积法在籽晶本体表面沉积硅系化合物，形成硅系化合物膜，从而得到晶体硅铸锭用籽晶，或将籽晶本体置于反应室中，在800℃‑1400℃温度下，通入可与硅反应生成硅系化合物的气体，使气体与籽晶表面的硅反应生成硅系化合物，从而在籽晶本体表面形成硅系化合物膜，得到晶体硅铸锭用籽晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 铸锭 籽晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅铸锭用籽晶，其特征在于，包括籽晶本体以及包覆在所述籽晶本体表面的硅系化合物膜，所述硅系化合物膜的熔点大于或等于硅的熔点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西赛维LDK太阳能高科技有限公司，未经江西赛维LDK太阳能高科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610817314.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种坩埚升降法单晶金属生长炉
- 下一篇：提高直拉单晶硅拉速的装置及方法
