[发明专利]双相独立规则分布的双输运通道片状陶瓷膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610817915.0 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106431446B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孟波;王慧娜;王同同;孟秀霞;王晓斌;杨乃涛;谭小耀;刘少敏 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | B01D67/00 | 分类号： | B01D67/00;B01D71/02;C04B35/80;C04B35/50;C04B35/622;B28B1/29;B28B11/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255086 山东省淄博*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及无机膜分离技术领域，具体涉及一种双相独立规则分布的双输运通道片状陶瓷膜的制备方法。本发明基于纺丝和流延成型技术，以离子导电陶瓷粉体和电子导电陶瓷粉体为原料，将两者中导电性低的陶瓷粉体采用流延法成型得到连续相，将两者中导电性高的陶瓷粉体采用纺丝法成型得到分散相，再将分散相均布分散于连续相中，经过相变固化制备成双相膜前体，经烧结获得双相独立规则分布的双输运通道片状陶瓷膜。本发明不仅制备效率高、稳定性好、节约成本，而且克服了双组分混合分布可能导致互相阻塞的问题、大大提高传质速率，同时对于两种材料的化学兼容性要求低。 | ||
| 搜索关键词： | 独立 规则 分布 输运 通道 片状 陶瓷膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双相独立规则分布的双输运通道片状陶瓷膜的制备方法，其特征在于：以离子导电陶瓷粉体和电子导电陶瓷粉体为原料，将两者中导电性低的陶瓷粉体采用流延法成型得到连续相，将两者中导电性高的陶瓷粉体采用纺丝法成型作为分散相，再将分散相均布分散于连续相中，经过相变固化制备成双相膜前体，经烧结获得双相独立规则分布的双输运通道片状陶瓷膜；离子导电陶瓷粉体为SrCe1‑xMxO3、LnWO6、SDC、GDC或YSZ，其中：M为Y；电子导电陶瓷粉体为LSCF、Ce0.8(Sm1‑xYx)0.2O2、La1‑xSrxMnO3、LaCrO3、NiFe2O4、Sr1‑xYxTiO3、ZnO或SnO；离子导电陶瓷粉体和电子导电陶瓷粉体的质量比为2:1。
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