[发明专利]不对称半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201610818441.1 | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107068752B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | A·I·朱;J·R·霍尔特;A·库马尔;H·K·乌托莫 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的态样提供不对称半导体装置及其形成方法。该不对称半导体装置可包括：衬底；以及设于该衬底上的鳍式场效应晶体管(FINFET)，该FINFET包括：邻近栅极设置的一组鳍片；设于该组鳍片的源极区上的第一外延区，该第一外延区具有第一高度；以及设于该组鳍片的漏极区上的第二外延区，该第二外延区具有第二高度，其中，该第一高度不同于该第二高度。 | ||
| 搜索关键词： | 不对称 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种不对称半导体装置，包括：衬底；以及鳍式场效应晶体管(FINFET)，设于该衬底上，该FINFET包括：一组鳍片，邻近栅极设置；第一外延区，设于该组鳍片的源极区上，该第一外延区具有第一高度；以及第二外延区，设于该组鳍片的漏极区上，该第二外延区具有第二高度，其中，该第一高度不同于该第二高度。
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