[发明专利]基于随机时间的非易失性存储器数据安全擦除方法有效

专利信息
申请号: 201610819091.0 申请日: 2016-09-13
公开(公告)号: CN106409336B 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 赵毅强;辛睿山;赵公元;王佳;李跃辉 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/14;G11C16/34
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及数据安全领域,为提出非易失性存储器数据安全擦除方法,利用随机数发生器、计数器与高频时钟结构,调控数据擦除时间,使得擦除时间随机,进而使得浮栅单元残余电子数随机,大大增加了数据恢复难度,保障了存储器芯片的数据安全。为此,本发明采用的技术方案是,基于随机时间的非易失性存储器数据安全擦除方法,具体步骤如下:利用随机数发生器、计数器与高频时钟结构,调控数据擦除时间,使得擦除时间随机,进而使得浮栅单元残余电子数随机。本发明主要应用于数据安全。
搜索关键词: 基于 随机 时间 非易失性存储器 数据 安全 擦除 方法
【主权项】:
1.一种基于随机时间的非易失性存储器数据安全擦除方法,其特征是,具体步骤如下:步骤S1中,非易失性存储器的命令接收模块接收芯片输入信息,包括擦写命令和起始地址,命令解析模块对接收到的输入信息进行解析,向预编程模块发送解析后的命令和相关数据,从而启动块擦除状态机,下一步将进行步骤S2;同时,命令解析模块还产生随机数生成器启动信号,下一步同时进行步骤S6;步骤S6中,经步骤S1,随机数生成器将启动,此后随机数生成器将生成一个指定位宽的随机数,该随机数据将用于步骤S7中作为计数器初值;步骤S2中,将进行块内数据的预判断操作,若块内所有存储空间的存储数据都为“0”,则无需进行预编程,下一步进入块擦除操作S4;若块内存在数据不为“0”的地址空间,则下一步进入预编程操作S3;步骤S3中,进行预编程操作,预编程操作模块根据步骤S1中命令解析模块传递的块擦写命令以及起始地址,对相应地址的存储块内所有地址空间进行预编程,完成整块的预编程操作后,当前块内的所有地址空间存储数据都为“0”,下一步进入步骤S4;步骤S4中,将根据块地址,对相应的块进行擦除操作,当完成一次块擦除操作后,将进入擦除验证步骤S5;步骤S5中,进行块擦除结果验证,若当前块内某一地址空间存储的数据不为“1”,则擦除操作未完成,返回步骤S4,继续进行擦除操作;若当前块内所有地址空间存储数据都为“1”,则块擦除验证完成,进入步骤S7;步骤S7中,计数器读取步骤S6中随机数生成器生成的随机数值,作为计数器初始值,并启动高频时钟,每个高频时钟上升沿,计数器计数值加1,当计数器开始计数时,进入步骤S8;步骤S8中,对当前块进行一次额外的擦除操作,该擦除操作同步骤S4中块擦除操作类似,只是相比于S4中块擦除,该擦除将一直持续,在擦除持续过程中,将一直判断计数器是否溢出,进入步骤S9;步骤S9中,需要判断计数器是否溢出,若未溢出,则返回步骤S8,继续进行擦除操作,若计数器溢出,则额外的擦除操作完成,进入步骤S10;步骤S10中,计数器清零,随机数发生器复位,高频时钟关闭,进入步骤S11;步骤S11中,此次块擦除操作结束;擦除操作具体步骤是,控制栅接地,源端接12V的高电压,漏端悬空,由于控制栅和浮栅之间的电容耦合效应,因此在浮栅与源区之间形成强电场,浮栅上的电子直接穿过隧道氧化层的势垒到达源区,使得浮栅上的负电荷减少,浮栅晶体管的阈值电压降低。
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