[发明专利]半导体装置与其制造方法

摘要

一种半导体结构与其制造方法。制造方法包括：第一、第二及第三沟渠形成于一基板上的一层中。第三沟渠实质上宽于第一及第二沟渠。第一、第二及第三沟渠部分填入一第一导电材料。一第一抗反射材料覆盖于第一、第二及第三沟渠之上。第一抗反射材料有一第一表面形貌变化。执行一第一回蚀刻制程以部分移除第一抗反射材料。之后，一第二抗反射材料覆盖于第一抗反射材料之上。第二抗反射材料有一小于第一表面形貌变化的第二表面形貌变化。执行一第二回蚀刻制程以部分移除第一及第二沟渠中的第二抗反射材料。之后，部分移除第一及第二沟渠中的第一导电材料。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：形成一第一沟渠、一第二沟渠及一第三沟渠于一基板上的一层，该第三沟渠相较于该第一沟渠及该第二沟渠有较大的一横向间距；部分填入一第一导电材料于该第一沟渠、该第二沟渠及该第三沟渠中；覆盖一第一抗反射材料于该第一沟渠、该第二沟渠及该第三沟渠之上，其中该第一沟渠、该第二沟渠及该第三沟渠已部分填入该第一导电材料，且该第一抗反射材料有一第一表面形貌变化；执行一第一回蚀刻制程以部分移除该第一抗反射材料；覆盖一第二抗反射材料于该第一抗反射材料之上，该第二抗反射材料有一小于该第一表面形貌变化的一第二表面形貌变化；执行一第二回蚀刻制程以至少部分移除该第二抗反射材料于该第一沟渠及该第二沟渠之中；以及部分移除该第一沟渠及该第二沟渠中的该第一导电材料。