[发明专利]氮化镓基板的生成方法在审
| 申请号： | 201610819653.1 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107053498A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 平田和也 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供氮化镓基板的生成方法，不浪费地从氮化镓(GaN)锭生成大量的氮化镓基板。该氮化镓锭具有第1面和处于第1面的相反侧的第2面，该氮化镓基板的生成方法包含如下的工序界面形成工序，从第1面将对于氮化镓具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在氮化镓锭的内部而进行照射，形成将氮化镓破坏而使镓(Ga)和氮(N)析出的界面；保持部件粘接工序，将第1保持部件粘接在氮化镓锭的第1面上，并且将第2保持部件粘接在第2面上；和氮化镓基板生成工序，将氮化镓锭加热到使镓发生熔融的温度，并且使第1保持部件与第2保持部件向互相远离的方向移动，由此从该界面将氮化镓锭分离而生成氮化镓基板。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基板 生成 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基板的生成方法，将氮化镓锭生成多个氮化镓基板，该氮化镓锭具有第1面和处于该第1面的相反侧的第2面，其特征在于，该氮化镓基板的生成方法具有如下的工序：界面形成工序，从该第1面将对于氮化镓具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在氮化镓锭的内部而进行照射，形成将氮化镓破坏而使镓和氮析出的界面；保持部件粘接工序，将第1保持部件粘接在氮化镓锭的该第1面上，并且将第2保持部件粘接在该第2面上；以及氮化镓基板生成工序，将氮化镓锭加热到使镓发生熔融的温度，并且使该第1保持部件与该第2保持部件向互相远离的方向移动，由此从该界面将氮化镓锭分离而生成氮化镓基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610819653.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种改进型桥梁搅拌设备
- 下一篇：晶片的加工方法
