[发明专利]一种反向脉冲HADAMARD离子迁移谱在审

专利信息
申请号: 201610819710.6 申请日: 2016-09-12
公开(公告)号: CN106248780A 公开(公告)日: 2016-12-21
发明(设计)人: 洪炎;苏静明;姚善化 申请(专利权)人: 安徽理工大学
主分类号: G01N27/70 分类号: G01N27/70
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 232001 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种反向脉冲HADAMARD离子迁移谱,该方法利用反向脉冲技术将常规的HADAMARD多路复用门控序列进行反向处理,然后将处理后的脉冲序列接到离子门两端,实现了离子门的反向多路复用控制,最终利用数据处理单元将得到的反向HADAMARD多路叠加谱数据进行采集、模数转换、逆HADAMARD变换处理、谱图显示。常规的HADAMARD离子迁移谱能提高传统离子迁移谱的信噪比,但在迁移谱中出现了假峰现象,这些假峰大多与信号峰朝向一致,这严重影响了HADAMARD离子迁移谱的定性分析性能;本发明能有效改变常规HADAMARD离子迁移谱的谱峰特性,使假峰的朝向与信号峰的方向相反,使人们很容易对假峰进行定性处理,有效提高了HADAMARD离子迁移谱的定性分析质量。
搜索关键词: 一种 反向 脉冲 hadamard 离子 迁移
【主权项】:
一种反向脉冲HADAMARD离子迁移谱,它包括电离源区(1)、反应区(2)、离子门(3)、反向脉冲HADAMARD多路复用离子门控单元(4)、迁移区(5)、信号预处理单元(6)、信号逆HADAMARD变换处理单元(7)。所述电离源区内有离化源,所述反应区与所述迁移区间设置有一BN型离子门(14),特征在于,所述离子门连接有所述反向脉冲HADAMARD多路复用离子门控单元,所述离子门控单元将反向脉冲技术应用到HADAMARD多路复用技术中,将常规的门控序列转换为反向HADAMARD多路复用离子门控序列,完成离子门的快速开关控制,所述信号预处理单元主要将电荷探测板探测到的信号经检流计放大处理后与所述信号逆HADAMARD变换处理单元相连,所述信号逆变换处理主要完成多路复用叠加谱数据的采集、模数转换、逆变换处理、还原谱显示、假峰快速识别。
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