[发明专利]核壳半导体纳米棒薄膜、偏振发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开核壳半导体纳米棒薄膜、偏振发光二极管及其制备方法，包括步骤将核壳半导体纳米棒分散于非极性溶剂中，得到核壳半导体纳米棒溶液；过滤后得到提纯后的核壳半导体纳米棒溶液；将提纯后的核壳半导体纳米棒溶液滴加到极性溶剂中分散，待非极性溶剂挥发完全后，形成核壳半导体纳米棒薄膜。本发明得到纳米棒成膜非常均匀，薄膜中的纳米棒阵列高度有序排列。通过微接触转印技术，将纳米棒阵列薄膜转移集成到多层结构的发光二极管器件上，并实现电致器件偏振发光。核壳半导体纳米棒薄膜可转移到各种基质的二极管器件衬底，未来可用于保护视力的偏振显示器或者3D显示系统。

主权项

一种核壳半导体纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：将核壳半导体纳米棒分散于非极性溶剂中，得到核壳半导体纳米棒溶液；将所述核壳半导体纳米棒溶液进行过滤，得到提纯后的核壳半导体纳米棒溶液；将提纯后的核壳半导体纳米棒溶液滴加到极性溶剂中分散，随后使非极性溶剂挥发，待非极性溶剂挥发完全后，形成核壳半导体纳米棒薄膜。