[发明专利]形成具有介电层的半导体装置的方法及相关设备和系统有效
| 申请号： | 201610820102.7 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN106548976B | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 卢佑哲;韩元奎;吴赫祥;李来寅;韩炅润 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;陈晓博 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了形成具有介电层的半导体装置的方法及相关设备和系统。在基底上形成层间绝缘层。在层间绝缘层中形成开口。通过用微波辐射具有开口的层间绝缘层来执行脱气工艺。通过用UV光辐射具有开口的层间绝缘层来执行K值恢复工艺。在开口中形成导电层。将脱气工艺和K值恢复工艺作为原位工艺来执行。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 介电层 半导体 装置 方法 相关 设备 系统 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成层间绝缘层；在层间绝缘层中形成开口；通过用微波辐射具有开口的层间绝缘层来执行脱气工艺；通过用UV光辐射具有开口的层间绝缘层来执行K值恢复工艺；以及在开口中形成导电层；其中，原位地执行脱气工艺和K值恢复工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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