[发明专利]用于静电放电保护的栅耦合NMOS器件

摘要

根据一个实施例的栅耦合NMOS器件包括：P型阱区、N型阱区和N沟道MOS晶体管、N+型抽头区、第一导电层以及第二导电层。N型阱区包围P型阱区。N型阱区的内侧直接接触P型阱区的一个侧面。N沟道MOS晶体管设置在P型阱区中。N+型抽头区设置在N型阱区中。第一导电层通过插置第一绝缘层而设置在N型阱区上，并且与N型阱区和第一绝缘层组成MOS电容器。第二导电层通过插置第二绝缘层而设置在N型阱区上，并且组成电阻器。第一导电层的第一端部直接接触第二导电层的第一端部。

主权项

一种栅耦合NMOS器件，包括：P型阱区；N型阱区，包围P型阱区；N沟道MOS晶体管，设置在P型阱区中；N+型抽头区，设置在N型阱区中；第一导电层，通过插置第一绝缘层而设置在N型阱区之上，并且与N型阱区和第一绝缘层组成MOS电容器；以及第二导电层，通过插置第二绝缘层而设置在N型阱区之上，并且组成电阻器，其中，第一导电层的第一端部接触第二导电层的第一端部。