[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置具有漂移区；基区，其配置在漂移区上；发射区，其配置在基区上；内壁绝缘膜，其配置在槽的内壁，该槽从发射区的上表面延伸并贯通发射区和基区；栅电极，其与基区的侧面对置地配置在槽的侧面的内壁绝缘膜上；底面电极，其与栅电极绝缘分离地配置在槽的底面的内壁绝缘膜上；以及层间绝缘膜，其设于栅电极和底面电极之间，栅电极在槽的角部侧的端部延伸到比漂移区和基区的界面与槽的侧面相交的位置低的位置，栅电极在底面电极侧的端部比底面电极在栅电极侧的上表面的位置高，该半导体装置具有如下的栅电极的下表面，该下表面连接栅电极在槽的角部侧的端部和栅电极在底面电极侧的端部。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，其配置在所述第1半导体区域上；第1导电型的第3半导体区域，其配置在所述第2半导体区域上；内壁绝缘膜，其配置在槽的内壁，该槽从所述第3半导体区域的上表面延伸并贯通所述第3半导体区域和所述第2半导体区域；控制电极，其与所述第2半导体区域的侧面对置地配置在所述槽的侧面的所述内壁绝缘膜上；底面电极，其与所述控制电极绝缘分离地配置在所述槽的底面的所述内壁绝缘膜上；以及层间绝缘膜，其将所述控制电极和所述底面电极之间绝缘，所述控制电极在所述槽的角部侧的端部延伸到比所述第1半导体区域和所述第2半导体区域的界面与所述槽的侧面相交的位置低的位置，所述控制电极在所述底面电极侧的端部比所述底面电极在所述控制电极侧的上表面的位置高，所述半导体装置具有如下的所述控制电极的下表面，该下表面连接所述控制电极在所述槽的角部侧的端部和所述控制电极在所述底面电极侧的端部。