[发明专利]一种有机超晶格锐钛型钛化氧化钨薄膜红外光敏材料的制备方法有效
申请号: | 201610821665.8 | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN106469645B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 刘士彦;张依;姚博 | 申请(专利权)人: | 绍兴文理学院 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人: | 李静 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种有机超晶格锐钛型钛化氧化钨薄膜红外光敏材料的制备方法,其步骤如下:步骤1,制备钨镀膜液;步骤2,得到二氧化钛镀膜液;步骤3,制备改性液;步骤4,将基底材料浸泡至钨镀膜液中,搅拌均匀后,在烘箱内烘干,得到钨膜;步骤5,将钨膜浸泡至二氧化钛镀膜液中,然后快速冷却,形成纳米二氧化钛前驱薄膜;步骤6,将步骤5中的薄膜基底材料进行高温烧结,形成纳米二氧化钛‑氧化钨薄膜;步骤7,将步骤6的薄膜浸泡至步骤3中乙醇水溶液中,多次微沸蒸煮,捞出后,快速固化;步骤8,步骤7中的薄膜材料退火处理得到产品。本发明制备方法简单,解决了钛化和氧化钨薄膜材料的平整度和均匀性低、缺陷大、粗糙度高等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 晶格 锐钛型钛化 氧化钨 薄膜 红外 光敏 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机超晶格锐钛型钛化氧化钨薄膜红外光敏材料的制备方法,其步骤如下:步骤1,将钨酸铵、氯化钨放入至碱性溶液中,加入纳米发泡剂,形成钨镀膜液;步骤2,将钛酸正丁酯、稳定剂、溶解液、酸化剂和渗透剂放入搅拌釜中,搅拌均匀即可得到二氧化钛镀膜液;步骤3,将无机改性剂与有机金属改性剂作为材料,浸泡至乙醇水溶液,得到改性液;步骤4,将基底材料浸泡至钨镀膜液中,搅拌均匀后,在烘箱内烘干,得到钨膜;步骤5,将钨膜浸泡至二氧化钛镀膜液中,然后快速冷却,形成纳米二氧化钛前驱薄膜;步骤6,将步骤5中的薄膜基底材料进行高温烧结,形成纳米二氧化钛‑氧化钨薄膜;步骤7,将步骤6的薄膜浸泡至步骤3中乙醇水溶液中,多次加热蒸煮,捞出后,快速固化;步骤8,步骤7中的薄膜材料退火处理得到产品;所述步骤2中的配方为钛酸正丁酯11‑15份、稳定剂3‑5份、溶解液40‑60份、酸化剂0.3‑1.0份、渗透剂2‑3份;所述稳定剂采用乙酸丙酮,所述溶解液采用乙酸乙酯或异丙醇,所述酸化剂采用乙酸、盐酸或硫酸中的一种,渗透剂采用脂肪醇聚氧乙烯醚;所述步骤7中的浸泡时间为12‑18min,蒸煮的温度为100‑120℃,次数为2‑10次。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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