[发明专利]一种低温液相制备高迁移率铟锌氧薄膜晶体管的方法在审
申请号: | 201610821734.5 | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN106653859A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 夏国栋;刘金华;王素梅 | 申请(专利权)人: | 齐鲁工业大学 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/34 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250333 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明属于半导体及微电子器件领域,特别涉及一种低温液相制备高迁移率铟锌氧薄膜晶体管的方法。包括如下步骤称取可溶性的铟盐、锌盐,量取溶剂,配置铟锌氧前驱体溶液,将铟锌氧前驱体溶液涂覆到预先涂有介电层/栅极薄膜的衬底上形成铟锌氧前驱体薄膜,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,即得到铟锌氧透明半导体薄膜。随后沉积源漏电极,即得到铟锌氧薄膜晶体管。本发明所得铟锌氧薄膜晶体管性能高,在信息电子领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等,成本低,适合工业化大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 低温 制备 迁移率 铟锌氧 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】:
一种低温液相制备高迁移率铟锌氧薄膜晶体管的方法,其特征在于包括如下步骤:(1) 制备铟锌氧前驱体溶液:称取可溶性的铟盐及锌盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟锌氧前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟锌氧前驱体溶液;(2) 制备铟锌氧薄膜:将铟锌氧前驱体溶液涂覆到预先涂有介电层/栅极薄膜的衬底上形成铟锌氧前驱体薄膜,进行50‑150 ℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据铟锌氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟锌氧溶液并退火处理,得到铟锌氧透明半导体薄膜;(3) 制备铟锌氧薄膜晶体管:在铟锌氧透明半导体薄膜上沉积源漏电极,即得到铟锌氧薄膜晶体管;所述的光波的生成仪器为用作厨具的光波炉或具有卤素灯管的加热仪器。
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