[发明专利]一种高介电氧化锆薄膜的低温溶液制备方法在审
| 申请号： | 201610821755.7 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106431397A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 夏国栋;姚书山;王素梅 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/48 | 分类号： | C04B35/48;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250333 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于新材料及微电子领域，特别涉及一种高介电氧化锆薄膜的低温溶液制备方法。包括如下步骤：称取可溶性的锆盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化锆前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化锆前驱体溶液；制备氧化锆薄膜：将氧化锆前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化锆前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化锆薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化锆溶液并退火处理，即得到氧化锆介电薄膜。本发明所得氧化锆薄膜介电性能高，在晶体管、电容器等微电子领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高介电 氧化锆 薄膜 低温 溶液 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高介电氧化锆薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1) 制备氧化锆前驱体溶液：称取可溶性的锆盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化锆前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化锆前驱体溶液；(2) 制备氧化锆薄膜：将氧化锆前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化锆前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化锆薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化锆溶液并退火处理，即得到氧化锆介电薄膜；所述的光波的生成仪器为用作厨具的光波炉或具有卤素灯管的加热仪器。
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