[发明专利]一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜的液相方法在审
| 申请号： | 201610821772.0 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106128941A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 夏国栋;王素梅 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250333 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜的液相方法。包括如下步骤：称取可溶性的铟盐、镓盐、锌盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟镓锌氧前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟镓锌氧前驱体溶液；制备铟镓锌氧薄膜：将铟镓锌氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成铟镓锌氧前驱体薄膜，进行50‑150℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据铟镓锌氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟镓锌氧溶液并退火处理，即得到铟镓锌氧透明半导体薄膜。本发明所得铟镓锌氧薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 制备 铟镓锌氧 透明 半导体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜的液相方法，其特征在于包括如下步骤：(1) 制备铟镓锌氧前驱体溶液：称取可溶性的铟盐、镓盐、锌盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟镓锌氧前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟镓锌氧前驱体溶液；(2) 制备铟镓锌氧薄膜：将铟镓锌氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成铟镓锌氧前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据铟镓锌氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟镓锌氧溶液并退火处理，即得到铟镓锌氧透明半导体薄膜；所述的光波的生成仪器为用作厨具的光波炉或具有卤素灯管的加热仪器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于齐鲁工业大学，未经齐鲁工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610821772.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：输液泵
- 下一篇：杀菌电子干燥器（一）
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
