[发明专利]一种低温制备锌锡氧透明半导体薄膜的溶液方法在审
申请号: | 201610821773.5 | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN106328493A | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 夏国栋;姚书山;王素梅 | 申请(专利权)人: | 齐鲁工业大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/477 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250333 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种低温制备锌锡氧透明半导体薄膜的溶液方法。包括如下步骤:称取可溶性的锌盐、锡盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的锌锡氧前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的锌锡氧前驱体溶液;制备锌锡氧薄膜:将锌锡氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成锌锡氧前驱体薄膜,进行50‑150 ℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据锌锡氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体锌锡氧溶液并退火处理,即得到锌锡氧透明半导体薄膜。本发明所得锌锡氧薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等,成本低,适合工业化大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 低温 制备 锌锡氧 透明 半导体 薄膜 溶液 方法 | ||
【主权项】:
一种低温制备锌锡氧透明半导体薄膜的溶液方法,其特征在于包括如下步骤:(1) 制备锌锡氧前驱体溶液:称取可溶性的锌盐、锡盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的锌锡氧前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的锌锡氧前驱体溶液;(2) 制备锌锡氧薄膜:将锌锡氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成锌锡氧前驱体薄膜,进行50‑150 ℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据锌锡氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体锌锡氧溶液并退火处理,即得到锌锡氧透明半导体薄膜;所述的光波的生成仪器为用作厨具的光波炉或具有卤素灯管的加热仪器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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