[发明专利]一种阵列基板的制作方法及相应装置

摘要

本发明涉及一种阵列基板的制作方法及相应装置，用以解决目前现有的TFT阵列基板，一般需进行7次掩膜曝光，制作工艺较为复杂，且需要在保护层上设置过孔，制作工艺难度大的问题。该方法包括：在衬底基板上依次形成遮光层、有源层、层间绝缘层、像素电极、源漏极、栅极绝缘层、以及栅极的图形；其中，通过一道构图工艺形成像素电极和源漏极的图形。本发明中的制作方法，通过一道构图工艺形成像素电极和源漏极的图形，进而实现了可以仅通过6道构图工艺完成阵列基板的制作，减少了使用的掩膜版数量，简化了制程，并降低了生产成本；同时，本发明中像素电极与源漏极直接接触，无需制作过孔，降低了制作的工艺难度。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成遮光层、有源层、层间绝缘层、像素电极、源漏极、栅极绝缘层、以及栅极的图形；其中，通过一道构图工艺形成所述像素电极和所述源漏极的图形；在形成所述有源层图形的同时，形成与所述有源层同层设置，且位于像素电极区域的第一支撑膜层；以及，在形成所述层间绝缘层图形的同时，形成与所述层间绝缘层同层设置，且位于像素电极区域的第二支撑膜层；其中，所述第一支撑膜层的图形与所述第二支撑膜层的图形相互重叠。