[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201610821909.2 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107644909A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 川尻智司 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,于英慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供降低了在槽的底面产生的反馈电容的沟槽栅型的半导体装置。半导体装置具有漂移区(10)；基区(20)，其配置在漂移区(10)上；发射区(30)，其配置在基区(20)上；内壁绝缘膜(40)，其配置在槽的内壁，该槽从发射区(30)的上表面延伸并贯通发射区(30)和基区(20)；栅电极(50)，其与基区(20)的侧面对置地配置在槽的侧面的内壁绝缘膜(40)上；底面电极(150)，其与栅电极(50)绝缘分离地配置在槽的底面的内壁绝缘膜(40)上；以及层间绝缘膜(70)，其设于栅电极(50)和底面电极(150)之间，从栅电极(50)的下表面的至少一部分到槽的底面的距离，比从底面电极(150)的下表面的至少一部分到槽的底面的距离长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，其配置在所述第1半导体区域上；第1导电型的第3半导体区域，其配置在所述第2半导体区域上；内壁绝缘膜，其配置在槽的内壁，该槽从所述第3半导体区域的上表面延伸并贯通所述第3半导体区域和所述第2半导体区域；控制电极，其与所述第2半导体区域的侧面对置地配置在所述槽的侧面的所述内壁绝缘膜上；底面电极，其与所述控制电极绝缘分离地配置在所述槽的底面的所述内壁绝缘膜上；以及层间绝缘膜，其将所述控制电极和将所述底面电极之间绝缘，从所述控制电极的下表面的至少一部分到所述槽的底面的距离，比从所述底面电极的下表面的至少一部分到所述槽的底面的距离长。
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