[发明专利]一种基于EL图像分析太阳电池片局部电压的方法

摘要

本发明公开了一种基于EL图像分析太阳电池片局部电压的方法，具体为在标准晶体硅太阳电池上施加一个较低的外加电压，得到该电压下标准太阳电池的电致发光图像，测量所述标准太阳电池的局部电致发光强度，计算得到校准系数；再在太阳电池片上施加更大的外加电压，得到该太阳电池的电致发光图像，测量局部电致发光强度，通过局部电致发光强度和校准系数，得到所述太阳电池的局部电压。本发明方法通过EL图像分析电池片局部性能可以降低热斑发生的风险，从而提高组件的可靠性。

主权项

1.一种基于EL图像分析太阳电池片局部电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)选择标准晶体硅太阳电池片；2)利用便携式EL测试仪，在标准晶体硅太阳电池片上施加一个0-1V的外加电压U1，得到该标准晶体硅太阳电池片的电致发光图像，测量所述标准晶体硅太阳电池片在该外加电压下的局部电致发光强度ψi1，i为位置索引；3)计算太阳电池片的校准系数Ci，太阳电池片的局部电压和电致发光强度存在如下关系： Φ i = C i e U i U t - - - ( 1 ) ]]>其中，Φi为太阳电池片位置i的电致发光强度；i为位置索引；Ci为位置i的校准系数；Ui为太阳电池片位置i的局部电压，Ut为热电压，对于在标准晶体硅太阳电池片施加的外加电压为0-1V的情况，假设整片太阳电池片的电压均为U1，即Ui＝U1；则对于该标准晶体硅太阳电池片，式(1)变为： ψ i 1 = C i e U i U t - - - ( 2 ) ]]>根据式(1)计算出校准系数Ci；4)在上述标准晶体硅太阳电池片上施加大于1V的外加电压U2，得到太阳电池片的电致发光图像，测量太阳电池片在该外加电压下的局部电致发光强度ψi2；5)根据式(3)以及步骤3)得到的校准系数Ci，计算所述标准晶体硅太阳电池片的局部电压： ψ i 2 = C i e U i U t - - - ( 3 ) . ]]>