[发明专利]一种晶体硅异质结太阳电池

摘要

一种晶体硅异质结太阳电池，其结构从迎光面开始依次为：前电极、TiO_x层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。迎光面使用n型掺杂的TiO_x与晶体硅形成异质结，而背面使用传统的非晶硅/晶体硅异质结结构。由于TiO_x光学带隙较宽，从迎光面入射的太阳光几乎可以全部进入到晶体硅内部，从而避免了由于窗口层的吸收而导致的光生电流损失。另外，TiO_x可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压。因此，本发明所提出晶体硅异质结太阳电池可同时实现高的开路电压和短路电流，提高晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率。

主权项

1.一种晶体硅异质结太阳电池，其特征是包括前电极、n型掺杂的TiOx与晶体硅吸收层形成的异质结、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极；其结构从迎光面开始依次为：前电极、n型掺杂的TiOx与晶体硅吸收层形成的异质结、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。