[发明专利]一种基于Si/NiOx异质结的晶体硅太阳电池在审
| 申请号： | 201610822312.X | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106298983A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 高超;黄海宾;周浪;岳之浩 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0264;H01L31/0352;H01L31/074 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种基于Si/NiOx异质结的晶体硅太阳电池，包括前电极、NiOx层、晶体硅吸收层、背电场、背电极。其结构从迎光面开始依次为：前电极、NiOx层、晶体硅吸收层、背电场、背电极。该结构可有效降低太阳电池内部光生载流子的复合，提高太阳电池光电转换效率。该晶体硅异质结电池可使用已有晶体硅太阳电池生产设备制备背电场，其双面进光结构可充分利用太阳光资源，增加光伏组件实际发电量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 si niox 异质结 晶体 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种基于Si/NiOx异质结的晶体硅太阳电池，其特征是包括前电极、NiOx层、晶体硅吸收层、背电场、背电极；其结构从迎光面开始依次为：前电极、NiOx层、晶体硅吸收层、背电场、背电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
