[发明专利]碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料、制备方法及应用有效
| 申请号： | 201610822600.5 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106449138B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 严微微 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/36;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料，由纳米碳膜、钼酸钴网状纳米片和泡沫镍组成，钼酸钴纳米片相互交叉竖立生长在泡沫镍上，形成钼酸钴网状纳米片阵列；纳米碳膜包覆于钼酸钴纳米片阵列的表面；本发明还公开了碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料的制备方法，本发明制备的碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料可以作为超级电容器的电极材料，能够显著提高超级电容器的比电容和循环性能，本发明方法简单、时间短、绿色环保、成本低廉，适合工业化大规模量产。 | ||
| 搜索关键词： | 碳包覆 钼酸 网状 纳米 阵列 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料，其特征在于，由纳米碳膜、钼酸钴网状纳米片和泡沫镍组成，其中，钼酸钴纳米片相互交叉竖立生长在泡沫镍上，形成钼酸钴网状纳米片阵列；所述的纳米碳膜包覆于钼酸钴纳米片阵列的表面，所述的钼酸钴纳米片的厚度为60～80nm；所述的碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料中碳的质量含量为1％～30％；所述碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料的制备方法为：(1)将碳水化合物溶解于去离子水中，得到碳水化合物溶液；(2)将表面生长钼酸钴网状纳米片阵列的泡沫镍浸入碳水化合物溶液中，并于110～130℃下水热反应4～6h，得到碳水化合物包覆的钼酸钴网状纳米片阵列；(3)将碳水化合物包覆的钼酸钴网状纳米片阵列用去离子水洗净，于50～70℃下烘干；(4)将烘干的碳水化合物包覆的钼酸钴网状纳米片阵列于氩气环境下300～500℃煅烧4～6h，得到碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料；所述的表面生长钼酸钴网状纳米片阵列的泡沫镍的制备方法如下：(a)将硝酸钴、钼酸钠溶解于去离子水中，得到混合溶液；(b)将泡沫镍浸入混合溶液中，并于110～130℃下水热反应4～6h；得到表面生长钼酸钴网状纳米片阵列的泡沫镍；(c)将表面生长钼酸钴网状纳米片阵列的泡沫镍用去离子水洗净，于50～70℃下烘干。
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