[发明专利]取向单层碳纳米管集合体及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201610822916.4 申请日: 2009-12-28
公开(公告)号: CN106430152A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 畠贤治;D·N·弗塔巴;汤村守雄 申请(专利权)人: 独立行政法人产业技术综合研究所
主分类号: C01B32/162 分类号: C01B32/162
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 李帆
地址: 暂无信息 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及取向单层碳纳米管集合体、块状取向单层碳纳米管集合体、粉体状取向单层碳纳米管集合体、及其制造方法。本发明提供一种取向单层碳纳米管集合体,可以容易制造,比表面积大,一根一根的碳纳米管(CNT)取向于规则的方向,且松密度低,因此具有成型加工性。所述取向单层碳纳米管集合体具备:基板、设置于该基板上且个数密度为1×1010~5×1013个/cm2的催化剂微粒、从该催化剂微粒成长的多个单层CNT,其中,所述多个单层CNT,比表面积为600m2/g~2600m2/g,且重量密度为0.002g/cm3~0.2g/cm3,并且其取向度用特定的条件来定义。
搜索关键词: 取向 单层 纳米 集合体 及其 制造 方法
【主权项】:
一种取向单层碳纳米管集合体,其是由多个单层碳纳米管取向而构成的取向单层碳纳米管集合体,其特征在于,所述取向单层碳纳米管集合体的比表面积为600m2/g~2500m2/g、使用荧光X射线测定得到的碳纯度为98质量%以上、用BJH法从液氮的77K的吸附等温线求出的细孔径分布极大值为5nm以上且100nm以下,且取向度用基于强度曲线而计算出的赫尔曼取向系数大于0.1且小于1的值来定义,所述强度曲线是从对扫描式电子显微镜图像或原子力显微镜图像进行高速傅立叶变换得到的图像而得到的。
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